Framleiðandi Vöru númer:
BSC029N025S G
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
BSC029N025S G-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 25V 24A/100A TDSON
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 25 V 24A (Ta), 100A (Tc) 2.8W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Birgðir:
12798699
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
BSC029N025S G Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
25 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
24A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
2.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 80µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
41 nC @ 5 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
5090 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2.8W (Ta), 78W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TDSON-8-1
Pakki / hulstur
8-PowerTDFN
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Aukainformation
Venjulegur pakki
5,000
Önnur nöfn
BSC029N025SGINTR
BSC029N025SGXT
BSC029N025SGINCT
BSC029N025S G-DG
SP000095465
BSC029N025SGINDKR
BSC029N025SG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
CSD16407Q5
FRAMLEIÐANDI
Texas Instruments
Fjöldi í boði
5527
HLUTARNÁMR
CSD16407Q5-DG
Einingaverð
0.65
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
BSC025N03MSGATMA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
BSC025N03MSGATMA1-DG
Einingaverð
0.47
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
AUIRFR2607Z
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
BSF083N03LQ G
MOSFET N-CH 30V 13A/53A 2WDSON
BSC190N12NS3GATMA1
MOSFET N-CH 120V 8.6A/44A TDSON